天力鋰能：終止收購江蘇大摩半導(dǎo)體科技有限公司控制權(quán)

4月30日，天力鋰能公告稱，宣布終止對江蘇大摩半導(dǎo)體科技有限公司的控制權(quán)收購公司與交易對方于2024年1月16日簽署《收購意向書》，并多次簽訂補充協(xié)議以確定交易方案然而，由于客觀情況發(fā)生變化，各方協(xié)商后同意終止本次交易，并計劃簽署補充協(xié)議（四）以處理終止交易后的遺留事項，包括收購意向金的返還該協(xié)議的簽訂是公司與交易方經(jīng)過審慎研究后的結(jié)果，各方均不會因此承擔(dān)賠償或法律責(zé)任標(biāo)的公司將在協(xié)議解除后按約定返還收購意向金，對公司經(jīng)營業(yè)績及財務(wù)狀況無重大不利影響。

產(chǎn)業(yè)資訊

特朗普：下周將宣布半導(dǎo)體關(guān)稅稅率

特朗普在當(dāng)?shù)貢r間4月13日（周日）表示，下周將宣布半導(dǎo)體關(guān)稅稅率，半導(dǎo)體關(guān)稅將在不久的將來生效

國際

美商務(wù)部長：電子產(chǎn)品“關(guān)稅豁免”是暫時的，半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)稅即將來襲

上周五晚間，負責(zé)征收關(guān)稅的美國海關(guān)和邊境保護局（Customs and Border Protection）傳來消息，將一系列產(chǎn)品排除在原先公布的“對等關(guān)稅”之外，類別包括了通訊設(shè)備（智能手機）、計算機、半導(dǎo)體設(shè)備、集成電路器件等 市場好不容易吃了一顆定心丸 但時至上周日，美國商務(wù)部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）卻急忙出來澄清道：特朗普政府免除智能手機、電腦和其他電子產(chǎn)品全面“互惠”關(guān)稅的舉措只是一項臨時措施，這些設(shè)備將被即將實施的基于行業(yè)的關(guān)稅所覆蓋。

聚焦

美國：半導(dǎo)體器件與集成電路等商品免征“對等關(guān)稅”

美國海關(guān)與邊境保護局（CBP）11日發(fā)布了更新稅則，豁免了包含自動數(shù)據(jù)處理器、電腦、通信設(shè)備、顯示器與模組、半導(dǎo)體相關(guān)等類別商品的進口稅率，不受“對等關(guān)稅”影響 具體產(chǎn)品稅號為： 8471 8473.30 8486 8517.13.00 8517.62.00 8523.51.00 8524 8528.52.00 8541.10.00 8541.21.00 8541.29.00 8541.30.00 8541.49.10 8541.49.70 8541.49.80 8541.49.95 8541.51.00 8541.59.00 8541.90.00 8542 以下是公告原文： 。

聚焦

[特種氣體]：AI對半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的推動機理及對特氣的影響簡析

導(dǎo)語：通過分析集成電路過去五年的進出口數(shù)據(jù)，對2025年1-5月的集成電路進出口數(shù)據(jù)進行ARMA建模預(yù)測，并將預(yù)測結(jié)果細化到處理器及控制器、存儲器、放大器三大數(shù)據(jù)集，通過對數(shù)據(jù)集的分析，得出處理器及控制器、存儲器未來進口量增加、出口量減少、放大器進出口均呈下行態(tài)勢。

熱點聚焦

中國在WTO追加對加拿大磋商，涉及半導(dǎo)體、關(guān)鍵礦產(chǎn)品等

中方在世貿(mào)組織（WTO）提交的同加拿大進行磋商的增補文件已經(jīng)分發(fā)給WTO成員此前，中國在2024年9月6日在WTO就加拿大電動汽車、鋼鋁制品征稅措施提起訴訟此次，中國要求就加拿大宣布對從中國進口的電池及電池零件、半導(dǎo)體、太陽能產(chǎn)品和關(guān)鍵礦產(chǎn)品征收額外關(guān)稅進行磋商

原料

[磷烷]：2025年產(chǎn)能增長預(yù)計達54% 半導(dǎo)體行業(yè)帶動明顯

導(dǎo)語：在一年一度的兩會上，鄧代表提出：“提升我國氦氣國際影響力和話語權(quán)”并從戰(zhàn)略布局、儲備體系、研發(fā)力度等幾個方面提出了五條建設(shè)性建議。

熱點聚焦

韓亞半導(dǎo)體擬建銅基新材料項目改擴建優(yōu)化升級工程項目

3月10日，韓亞半導(dǎo)體材料有限公司銅基新材料項目改擴建優(yōu)化升級工程項目進入環(huán)評擬受理公示階段，公示期為2025年3月10日-2025年3月21日（10個工作日） 。

企業(yè)動態(tài)

特朗普：將于下個月或更早宣布對汽車、半導(dǎo)體、芯片等商品的關(guān)稅

美國總統(tǒng)特朗普表示，將于下個月或更早宣布對汽車、半導(dǎo)體、芯片、制藥、可能還有木材的關(guān)稅

聚焦

歐萊新材：子公司擬投資1.08億元建設(shè)半導(dǎo)體高純材料項目

2月12日，歐萊新材公告，公司全資子公司歐萊高純擬與韶關(guān)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽署投資協(xié)議書，投資建設(shè)“歐萊明月湖半導(dǎo)體高純材料項目”，項目投資總額為1.08億元，項目用地面積為46.73畝項目建設(shè)內(nèi)容包括高純無氧銅錠生產(chǎn)基地和高純鈷錠生產(chǎn)基地，是公司向上游高純材料產(chǎn)業(yè)鏈延伸的重點項目

企業(yè)動態(tài)

中國首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線在柳州建成投產(chǎn)

12月27日，柳州市官方在南寧召開新聞發(fā)布會廣西柳州市市長介紹，柳州市堅持傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)與新興產(chǎn)業(yè)兩端發(fā)力，大力實施新興產(chǎn)業(yè)壯大三年行動其間，中國首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線在柳州建成投產(chǎn)，累計建成新能源產(chǎn)能45.5GWh，鋰電池電芯產(chǎn)量增長74%

國內(nèi)資訊

南京紫荊半導(dǎo)體有限公司成立

日前，南京紫荊半導(dǎo)體有限公司正式落地江北新區(qū)研創(chuàng)園作為長城汽車培育的一家專注于RISC-V車規(guī)級芯片的設(shè)計公司，南京紫荊半導(dǎo)體有限公司（簡稱“紫荊半導(dǎo)體”，Cercis Semiconductor）致力于打造自主可控的車規(guī)級芯片及解決方案紫荊半導(dǎo)體致力于RISC-V 車規(guī)芯片開發(fā)，實現(xiàn)長城國產(chǎn)化芯片自研供應(yīng)，并輻射行業(yè)車廠產(chǎn)品布局系列化，包含RISC-V MCU、模擬芯片、SOC芯片等芯片 。

汽車

兆馳股份：擬投建年產(chǎn)1億顆光通信半導(dǎo)體激光芯片項目

12月20日晚間，兆馳股份公告，全資子公司兆馳半導(dǎo)體擬以自有資金或自籌資金投資建設(shè)“年產(chǎn)1億顆光通信半導(dǎo)體激光芯片項目（一期）”，主要生產(chǎn)砷化鎵、磷化銦化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品等，主要應(yīng)用為光芯片技術(shù)領(lǐng)域的VCSEL激光芯片及光通信半導(dǎo)體激光芯片本次投資為項目一期，項目一期建設(shè)擬投資金額不超過5億元

家電

商務(wù)部：堅決反對美發(fā)布對華半導(dǎo)體出口管制措施

商務(wù)部新聞發(fā)言人2日表示，中方注意到，美方發(fā)布了對華半導(dǎo)體出口管制措施該措施進一步加嚴對半導(dǎo)體制造設(shè)備、存儲芯片等物項的對華出口管制，并將136家中國實體增列至出口管制實體清單，還拓展長臂管轄，對中國與第三國貿(mào)易橫加干涉，是典型的經(jīng)濟脅迫行為和非市場做法美方說一套做一套，不斷泛化國家安全概念，濫用出口管制措施，實施單邊霸凌行徑中方對此堅決反對 這位發(fā)言人說，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高度全球化，美方濫用管制措施嚴重阻礙各國正常經(jīng)貿(mào)往來，嚴重破壞市場規(guī)則和國際經(jīng)貿(mào)秩序，嚴重威脅全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。

聚焦

杭州鎵仁半導(dǎo)體取得氧化鎵晶體生長裝置專利

2024年11月26日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司取得一項名為“一種氧化鎵晶體生長裝置”的專利，授權(quán)公告號CN222043410U，申請日期為2023年12月專利摘要顯示，本實用新型公開一種氧化鎵晶體生長裝置，包括生長爐和冷卻機構(gòu)，生長爐包括底座、側(cè)保溫筒和加熱線圈，底座、側(cè)保溫筒與蓋板圍成生長腔體，并內(nèi)置坩堝組件，蓋板包括外側(cè)蓋板和中心蓋板，加熱線圈、底座以及坩堝組件保持固定，側(cè)保溫筒以及外側(cè)蓋板相對于底座往復(fù)滑動能夠改變生長腔體的容積，中心蓋板活動設(shè)置于散熱孔處，也可以受控升降；在氧化鎵晶體生長過程中，生長腔體內(nèi)的熱量也可以沿籽晶桿導(dǎo)出生長爐外部，確保引晶穩(wěn)定性；側(cè)保溫筒相對于底座向上滑動，壓縮熱腔體積，使晶體和散熱孔的間距縮短，能夠增強熱量導(dǎo)出效果。

國內(nèi)資訊

廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司取得一種發(fā)光二極管專利

2024年11月27日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司取得一項名為“一種發(fā)光二極管”的專利，授權(quán)公告號CN222051802U，申請日期為2023年12月專利摘要顯示，本申請公開了一種發(fā)光二極管，包括：外延層，外延層包括依次層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；第一通孔，第一通孔貫穿第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層，露出第一半導(dǎo)體層；至少一層介質(zhì)層，至少一層介質(zhì)層位于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的一側(cè)，覆蓋第一通孔的側(cè)壁，露出第一通孔的底部；第一金屬反射層，第一金屬反射層位于至少一層介質(zhì)層背離第二半導(dǎo)體層的一側(cè)，且露出第一通孔；第二通孔，第二通孔貫穿至少一層介質(zhì)層以及第一金屬反射層；第二金屬反射層，至少覆蓋第二通孔的側(cè)壁以及底部。

國內(nèi)資訊

鎵未來取得半導(dǎo)體器件制作方法及半導(dǎo)體器件專利

2024年11月22日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海鎵未來科技有限公司取得一項名為“半導(dǎo)體器件制作方法及半導(dǎo)體器件”的專利，授權(quán)公告號CN118800656B，申請日期為2024年9月

國內(nèi)資訊

中鎵半導(dǎo)體申請 GaN 單晶襯底的 HEMT 外延結(jié)構(gòu)和外延方法專利

2024年11月22日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司申請一項名為“GaN單晶襯底的HEMT外延結(jié)構(gòu)和外延方法”的專利，公開號CN118983336A，申請日期為2024年8月專利摘要顯示，本發(fā)明公開一種GaN單晶襯底的HEMT外延結(jié)構(gòu)，包括GaN單晶襯底以及依次生長于所述GaN單晶襯底上的GaN緩沖層、低溫應(yīng)力調(diào)控層、GaN高阻層、AlyGa1?yN背勢壘層、GaN溝道層、AlzGa1?zN勢壘層以及GaN帽層，所述低溫應(yīng)力調(diào)控層為InxGa1?xN固溶體薄膜層或InN/GaN超晶格層，其中，0≤x≤0.1，0.05≤y≤0.15，0.2≤z≤0.3。

國內(nèi)資訊

Mysteel解讀：半導(dǎo)體市場情況及其與錫價關(guān)系

在當(dāng)今快速發(fā)展的科技時代，半導(dǎo)體已成為信息技術(shù)的核心支柱，廣泛應(yīng)用于智能手機、個人電腦、數(shù)據(jù)中心及自動駕駛汽車等領(lǐng)域，驅(qū)動著現(xiàn)代社會的運行隨著全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，半導(dǎo)體市場需求持續(xù)高漲，不僅促進了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮，也深刻影響了相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，尤其是原材料市場其中，錫焊料是半導(dǎo)體行業(yè)不可或缺的連接材料，隨著半導(dǎo)體市場的恢復(fù)及增長，對高性能、高可靠性的半導(dǎo)體器件的需求將推動錫焊料的產(chǎn)銷并支撐錫的價格。

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