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更新時(shí)間:2025-06-30

快訊播報(bào)

鉬銅棒密度快訊

2024-12-12 10:29

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,江蘇永昊高強(qiáng)度螺栓有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種航天領(lǐng)域極低溫度下緊固件用鈦合金及其工藝”的專利,本發(fā)明涉及鈦合金技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種航天領(lǐng)域極低溫度下緊固件用鈦合金及其工藝,包括以下重量份數(shù)配比的原料:鈦100?40份、復(fù)合材料10?30份、鋁20?50份、鋼5?20份,所述鈦100?40份使用β鈦,且鈦粉的含有率占比為緊固件含量的45%左右,所述復(fù)合材料10?30份使用碳纖維材料,且碳纖維材料在高溫環(huán)境下由1000度以上的惰性氣體內(nèi)部制造,且碳纖維含碳量在95%以上,所述鋁20?50份占比為緊固件含量的27%左右,且鋁材料生產(chǎn)時(shí)添加少量鋯、釩、鎢和等元素。該航天領(lǐng)域極低溫度下緊固件用鈦合金及其工藝,在對(duì)緊固件進(jìn)行制造生產(chǎn)時(shí),在緊固件的內(nèi)部添加碳纖維材料,降低了緊固件的密度,提升了緊固件的耐高溫及耐疲勞性,節(jié)約了成本。

2024-07-12 15:17

三星宣布正式量產(chǎn)第9代V-NAND閃存,首批生產(chǎn)的是1Tb(128GB)TLC 3D NAND閃存芯片,相比上一代產(chǎn)品,單位面積存儲(chǔ)密度提高了約50%,同時(shí)功耗降低了10%。三星還引入了新的技術(shù),避免單元干擾并延長(zhǎng)單元壽命,同時(shí)取消備用通道孔大幅減少了存儲(chǔ)單元的平面面積。三星在第9代V-NAND閃存的生產(chǎn)中,在金屬化工藝過(guò)程中使用了鎢,另一種則使用了(Mo)。目前行業(yè)內(nèi)使用鎢來(lái)降低層高已達(dá)到極限,換成可將層高再降低30%至40%,而且還能降低NAND的延遲。三星決定更多地使用,意味著NAND材料價(jià)值鏈將發(fā)生一些變化。


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