意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議

12月22日，意法半導體官微宣布，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議按照協(xié)議，意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署據(jù)介紹，理想汽車即將推出的800V高壓純電平臺將在電驅(qū)逆變器中采用意法半導體的第三代1200V SiC MOSFET技術(shù)

汽車

三安光電：車企用碳化硅產(chǎn)品尚在驗證階段

上市公司三安光電旗下湖南三安半導體有限責任公司碳化硅應用專家施洪亮博士表示，目前公司第二代碳化硅MOSFET（金屬氧化物場效應管）處于車企驗證階段，三代產(chǎn)品預計2025年推出。

聚焦

金剛石，將在功率市場大放異彩

隨著硅接近其物理極限，半導體行業(yè)正在探索寬帶隙 (WBG) 材料，尤其是碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 以及更進一步的金剛石 特斯拉于 2018 年啟動 SiC 功率器件市場，成為第一家在其 Model 3 中使用 SiC MOSFET 的汽車制造商 多年來，特斯拉一直是 SiC 市場增長的主要貢獻者但在特斯拉宣布其下一代動力總成將使用永磁電機后，該行業(yè)陷入了恐慌，這將減少 75% 的 SiC 使用。

熱點資訊

汽車用功率半導體峰會5月底在杭州舉辦

目前全球功率半導體缺貨漲價現(xiàn)象仍未改善，中國功率半導體企業(yè)有望把握機遇，加速推進國產(chǎn)替代，市場份額快速提升 本次會議議題包括：在新能源汽車大規(guī)模量產(chǎn)之際，如何實現(xiàn)功率半導體的自主可控，如何進行提前布局等；未來碳化硅功率半導體有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半導體，在新能源汽車領(lǐng)域得到應用，碳化硅功率器件國產(chǎn)化路徑；車規(guī)級IGBT是賦能汽車的半導體賽道等，國產(chǎn)IGBT的規(guī)?；瘧眉翱煽啃缘?。

會展信息

車用功率半導體峰會5月底在杭州舉辦

Strategy Analytics預測，功率半導體在汽車半導體中的占比，將從傳統(tǒng)燃油車的 21%提升至純電動車的 55%，躍升為占比最大的半導體器件目前功率半導體市場主要被海外大廠占據(jù)，中國企業(yè)起步較晚，高端產(chǎn)品自給率仍然較低，國產(chǎn)替代空間較大目前全球功率半導體缺貨漲價現(xiàn)象仍未改善，中國功率半導體企業(yè)有望把握機遇，加速推進國產(chǎn)替代，市場份額快速提升 本次會議議題包括：在新能源汽車大規(guī)模量產(chǎn)之際，如何實現(xiàn)功率半導體的自主可控，如何進行提前布局等；未來碳化硅功率半導體有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半導體，在新能源汽車領(lǐng)域得到應用，SiC功率器件國產(chǎn)化路徑；車規(guī)級IGBT是賦能汽車的半導體賽道等，國產(chǎn)IGBT的規(guī)?；瘧眉翱煽啃缘取?/p>

聚焦

特斯拉減用碳化硅，是“王炸”還是“虛驚”

自2018年起，特斯拉、比亞迪、蔚來等車企紛紛開始用碳化硅功率器件部分替代IGBT 鯨平臺智庫專家、大菲資本董事總經(jīng)理張力向《科創(chuàng)板日報》記者表示，“碳化硅的主要邏輯是作為碳化硅MOSFET替代IGBT，過去因為硅材料的性質(zhì)，在高鐵、電網(wǎng)、風電等超高壓領(lǐng)域，以及新能源汽車逆變器這些中高壓領(lǐng)域，只能用IGBT但現(xiàn)在碳化硅MOSFET不僅能用、而且好用” “等碳化硅在汽車領(lǐng)域進行快速迭代后，還有光伏、風電等更大的市場。

汽車

長城汽車發(fā)力第三代半導體，重要項目在無錫動工

據(jù)相關(guān)分析數(shù)據(jù)顯示，從燃油車到純電動汽車，單車半導體價值量將從457美元提升至834美元，單車價值量增長最大的排序依次為：功率半導體>傳感器>MCU（主控）其中功率半導體的單車價值量，從燃油車到新能源汽車有望實現(xiàn)數(shù)倍增長，達到約450美元 從功率器件種類來看，目前新能源汽車功率半導體以硅基的IGBT、MOSFET為主，但由于以SiC、GaN等為代表的第三代半導體材料在高壓的系統(tǒng)中有更好的性能體現(xiàn)，相比硅基器件具有耐高壓、耐高溫、功耗低、體積小、重量輕等顯著優(yōu)勢，被普遍認為將逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半導體,在新能源汽車領(lǐng)域得到廣泛應用。

產(chǎn)業(yè)資訊

“智能汽車”成半導體行業(yè)新增長極 華微電子加速國產(chǎn)化

近幾年，白色家電用的IGBT、MOSFET和可控硅產(chǎn)品，華微電子在國內(nèi)功率半導體行業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)了進口品牌的替代，成為海爾、海信、美的等品牌產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)供應商 隨著國內(nèi)疫情緩解以及政策刺激，新能源車銷量連續(xù)走高，去年12月單月銷量超過20萬輛2020年新能源乘用車累計銷量111.5萬輛，同比增長5.16%2021年新能源汽車累計銷量預計將達到200萬輛，同比增長46.3%而在國家政策的支持下，2025年國內(nèi)新能源汽車銷量有望達到600萬輛。

汽車

三安光電擬投資160億元在長沙建設第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目

公告顯示，三安光電第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目用地面積約1000畝，將包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET三安光電表示，該項目有廣闊的市場需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段，投資該項目有利于提升公司行業(yè)地位及核心競爭力。

基建

三安光電擬投資160億元在長沙建設第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目

中證網(wǎng)訊 三安光電6月16日晚公告，公司擬在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司，投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，投資總額160億元公司表示將在兩年內(nèi)完成一期項目建設并實現(xiàn)投產(chǎn)，四年內(nèi)完成二期項目建設并實現(xiàn)投產(chǎn)，六年內(nèi)實現(xiàn)達產(chǎn) 公告顯示，三安光電第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目用地面積約1000畝，將包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

項目投資